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本文提出空穴注入控制型横向绝缘栅双极晶体管 (CI LIGBT) ,可有效控制高压下阳极区空穴注入 ,提高器件的抗闩锁性能 .数值模拟与实验表明 ,通过对阳极区结深、反偏p+ n+ 结击穿电压和取样电阻的优化 ,可实现其导通压降与抗闩锁性能的折衷
空穴注入控制型LIGBT的研究
【摘 要】
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本文提出空穴注入控制型横向绝缘栅双极晶体管 (CI LIGBT) ,可有效控制高压下阳极区空穴注入 ,提高器件的抗闩锁性能 .数值模拟与实验表明 ,通过对阳极区结深、反偏p+ n+ 结
【机 构】
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UnivofElectronicsScienceand
【出 处】
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电子学报
【发表日期】
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2000年5期
【基金项目】
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国家“九五”军事预研项目资助课题,,国防基金项目资助课题
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