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本文利用Ｃ－Ｖ测试的方法，研究了ＭＯＳ工艺中等离子过程对不同栅材料的Ｓｉ－ＳｉＯ２结构的影响，探讨了等离子损伤的形成机理，并就不同的退火条件进行评估。
等离子过程引起的Si—SiO2结构损伤评估
【摘 要】
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本文利用Ｃ－Ｖ测试的方法，研究了ＭＯＳ工艺中等离子过程对不同栅材料的Ｓｉ－ＳｉＯ２结构的影响，探讨了等离子损伤的形成机理，并就不同的退火条件进行评估。
【机 构】
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中国华晶电子集团公司中央研究所
【出 处】
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半导体技术
【发表日期】
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1994年2期
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