SI-SIO2相关论文
采用软X射线激发光电子能增（XPS），观测了抗辐射加固与非加固Si-SiO2经60Co辐照前、后的光频电容率变化。结果显示；辐照与未辐照非加固S......
应用灵敏的电子能谱分析技术,对经电离辐射辐照的Si-SiO_2结构进行深度剖析。实验结果表明:存在于Si-SiO_2中的界面区,在电离辐射......
本文详细介绍电离辐照在Si—SiO_2界面产生的界面态。通过对铝栅和硅栅MOS器件辐照产生的界面态与时间和偏压之关系的研究,发现存......
本文研究了等离子体氢处理对Si-SiO_2结构的影响。结果表明,Si-SiO_2结构经等离子体氢处理后,其界面特性变差。......
本文利用Ｃ－Ｖ测试的方法，研究了ＭＯＳ工艺中等离子过程对不同栅材料的Ｓｉ－ＳｉＯ２结构的影响，探讨了等离子损伤的形成机理，并就不同的退火条件进行评估。......
对由抗辐射加固与非加固工艺生成的Si/SiO2系统进行了60Co辐照前后的界面结构分析。实验结果表明,这两类Si-SiO2在硅的二氧化硅态......
利用强脉冲X射线对Si-SiO2界面进行了辐照,测量了界面态曲线和退火曲线.实验显示:经过强脉冲X射线对Si-SiO2界面进行的辐照,在Si-S......
用ＸＰＳ分析技术对抗辐射加固与非加固的Ｓｉ－ＳｉＯ２进行了电离辐照前后Ｓｉ的一级等离激元（定位于Ｂ．Ｅ．１１６．９５ｅＶ）及ＳｉＯ２一级等离激元（定位于Ｂ．Ｅ．１２２．０ｅＶ）的研究。实验结果表明：存在一个由......
A one-dimensional silicon based photonic crystal with nonlinear defect layers is examined. The linear and nonlinear opti......
The first level plasmons of Si in pure Si state(corresponding to bonding energy(BE) of 116.95eV) and in the SiO2 state (......
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本文提出一个利用电容瞬态技术直接由俘获过程测量不同能量位置界面态俘获截面的新方法,并用它测量了n型Si-SiO2界面态对电子的俘......
