δ-Sc4Zr3O12∶Cr3 宽带近红外荧光粉发光性能的研究

来源 :激光与光电子学进展 | 被引量 : 0次 | 上传用户:vialli_7
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宽带近红外荧光粉作为新型检测用近红外固态光源——近红外荧光粉转化型发光二极管(NIR pc-LED)的核心材料,在近年来受到研究人员的高度关注。利用高温固相法制备了Cr3 离子掺杂的δ-Sc4Zr3O12宽带近红外荧光粉。在蓝光激发下,其近红外发射位置位于810 nm,发射峰的半峰全宽约为175 nm。该宽带发射对应于两个发光子峰的叠加,两发射子峰的位置分别出现在795 nm和873 nm,这在荧光衰减曲线和温度特性的测试结果中得到了验证。利用光谱数据估算得到的材料晶体场强度为2.25。最后,探索了所制备的Sc4Zr3O12∶3%Cr3 近红外荧光粉在NIR pc-LED中的应用。

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