【摘 要】
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针对基于闪烁屏-CCD（电荷耦合元件）相机的氘离子束横向强度分布测量系统,利用ANSYS软件模拟计算了在直流及脉冲模式下,能量100keV、束斑直径3mm氘离子轰击造成的Al2O3,SiO2以及
【机 构】
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西南科技大学国防科技学院,中国工程物理研究院流体物理研究所,西南科技大学核废物与环境安全国防重点学科实验室
【基金项目】
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国家自然科学基金项目（11505147）
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针对基于闪烁屏-CCD（电荷耦合元件）相机的氘离子束横向强度分布测量系统,利用ANSYS软件模拟计算了在直流及脉冲模式下,能量100keV、束斑直径3mm氘离子轰击造成的Al2O3,SiO2以及锗酸铋（BGO）三种候选闪烁体材料的表面温度变化。结果表明,在30μA的直流氘离子束轰击下,闪烁体表面温度随辐照时间急剧地升高。持续时间10min的氘离子束轰击将使三种材料前表面的温度分别升高131,234和649℃。对于峰值流强30μA、重复频率1Hz、脉宽5μs的重复频率脉冲氘离子束,每个脉冲引起的三种闪烁屏表
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