【摘 要】
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采用超声雾化喷涂技术,以AZ4620光刻胶为研究对象,以硅通孔(TSV)刻蚀后的硅片为基材,在12英寸(1英寸=2.54 cm)结构化晶圆表面喷涂光刻胶形成薄膜。分别研究了稀释质量比、超
【基金项目】
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国家重点研发计划项目(2017YFB0406400);陕西省重点研发计划项目(2018ZDXM-GY-109)
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采用超声雾化喷涂技术,以AZ4620光刻胶为研究对象,以硅通孔(TSV)刻蚀后的硅片为基材,在12英寸(1英寸=2.54 cm)结构化晶圆表面喷涂光刻胶形成薄膜。分别研究了稀释质量比、超声功率、氮气体积流量、喷嘴与晶圆表面的间距、载台温度等工艺参数对TSV硅片表面喷涂质量的影响,最终通过优化过程工艺参数,得到表面胶颗粒细小、膜厚均匀性好、台阶覆盖率高的涂覆刻蚀片。实验结果表明,超声雾化喷涂法可以很好地应用于三维结构表面涂覆,克服了旋涂方法在三维结构应用中带来的缺陷,同时有效地提高了光刻胶的利用率,在集成电路(IC)制造和微电子机械系统(MEMS)工艺中有着广阔的应用前景。
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