论文部分内容阅读
本文利用扫描隧道显微镜（ＳＴＭ）并辅以快速富立叶变换（ＦＦＴ）和数据拟合等数学方法对电化学极氧化法制备的多孔硅（ＰＳ）的微结构及形貌进行了研究。同时研究了多孔硅的微结构与其发生性质和电化学性质的相互关系。研究表明，在其他条件不变情况下，随阳极氧化电流密度的增大，所形成的多孔硅的微孔向纵深延伸，多孔硅层增厚，微孔相连后形成的硅柱变细，发光强度增大，发光峰位明显蓝移，与单晶硅相比，多孔硅电极的平带电位