SnO_2相关论文
具有分级中空结构的半导体金属氧化物纳米材料,拥有高比表面积、多孔活化的功能性壳层、振实密度低和潜在装载能力的结构特性,故而......
Fabrication and structural characterization of large-scale uniform SnO2 nanotube arrays by sol-gel m
Semiconductor SnO2 nanotube arrays were fabricated by sol-gel method based on highly ordered nanoporous anodic alumina m......
引言纯的SnO_2是一个禁带宽度较大的n型半导体材料,其禁带宽度为3.7eV。由于它内部存在着点缺陷,这些点缺陷具有施主或受主的作用......
采用混合盐溶液共沉淀法,我们配制出残存SO_4~(2-)的α-Fe_2O_3-SnO_2气敏材料,通过控制和改善材料的微观构造,提高了不添加资金属......
用水热法制得了在室温大气环境下稳定的半导体 SnO_2纳米材料。用 X 射线粉晶衍射、透射电镜、高分辨电镜及 M(?)ssbauer 谱等研究......
用a-Fe_2O_3研制成的加热式气敏元件功耗大(约1.5W)。常温SnO_2-a-Fe_2O_3气敏元件功耗低(约0.1W),灵敏度高,响应恢复快,稳定,具......
系统测量了不同颗粒尺度纳米 SnO_2固体的内耗和模量,发现60℃附近存在一个内耗峰,对应的模量出现异常.烧结温度升高,峰高变化不明......
作为最重要的还原产品,甲酸是CO_2还原中非常有价值的液体燃料.已有研究报道,Sn类金属电极对甲酸生成有很好的催化活性,所用电解液......
本文采用水热法,以SnO2为前驱物,3 mol/L KOH作矿化剂,高温430℃,反应24 h,填充度60%,合成了尺度超过20μm的金红相SnO2晶体。当填......
SnO2是一种重要的宽禁带半导体材料,由于具有较高的理论容量,将其作为锂离子电池的负极材料有广阔的应用前景。材料的微观形貌对其......
以 SnCl4为前驱体、以氧气和氢气的混合气体为爆源,通过气相爆轰制备纳米二氧化锡粉末。并通过 XRD 和 TEM 等测量手段对纳米 SnO2......
本文通过简单溶剂热反应合成棒状SnO2,然后以谷氨酸为添加剂,乙二醇为分散剂和还原剂,溶剂热合成SnO2纳米棒负载的Pd-Cu球形空壳催......
Catalytic liquid-phase oxidation of acetaldehyde to acetic acid over a Pt/CeO_2–ZrO_2–SnO_2/γ-alumin
Pt/CeO2–ZrO2–SnO2/γ-Al2O3 catalysts were prepared by co-precipitation and wet impregnation methods for catalytic oxid......
采用热蒸发SnO粉末制备了多分支SnO2纳米线节点。采用透射电镜和场发射扫描电镜研究了其纳米结构。结果表明:Sn纳米粒子来自于SnO......
基于平面波赝势密度泛函理论,分别采用GGA,LDA,B3LYP和PBE0方法研究了金红石型SnO2的结构、电学和光学性质。计算结果表明,采用GGA......
基于平面波赝势密度泛函理论,研究了La,Ce,Nd掺杂SnO2的电子结构和光学性质。计算结果表明,La附近的键长变化最大,而Nd附近的键长......
采用溶剂热法制备出花状Sn O2晶体,然后在FTO导电玻璃上制得Sn O2薄膜。将Sn O2薄膜在不同浓度Ti Cl4溶液中浸渍1 h,并经450℃煅烧......
SnO2是一种具有丰富表面缺位氧的n型半导体,其晶格氧亦可还原.另外其熔点高达1630 oC,具有较高的热稳定性能.在过去的几十年中,SnO......
采用水解沉淀法制备SnO_2·XH_2O电极材料。经过不同温度的焙烧,将得到的SnO_2·XH_2O电极材料用X射线粉末衍射(XRD),透射电子显微......
由简单的水热法合成了一种可高效降解有机染料的氧缺陷型Sn O2纳米颗粒新型光催化剂,用X射线衍射、透射电镜、高分辨透射电镜和紫......
采用共沉淀法将SnO_2组分掺入到V_2O_5-WO_3/TiO_2催化剂载体TiO_2中,并通过多种物理化学手段,考察了不同SnO_2掺入量时对催化剂结......
针对日益严重的CO污染问题,通过在制备过程中引入CTAB模板,采用水热法对SnO_2催化剂的形貌结构进行控制。同时采用X射线衍射(XRD)......
通过ＳＥＭ、ＴＥＭ研究了ＰＥＣＶＤ方法制备的ＳｎＯ＿２薄膜的显微结构，讨论了沉积速率与颗粒大小的关系；在Ｓｉ、陶瓷和ＫＢｒ３种不同衬底上沉积的ＳｎＯ＿２薄膜的差异以及退火对ＳｎＯ＿２膜结晶......
采用未见报道的ＳｎＯ＿２微波等离子体化学气相沉积法制备出了平均粒径小于１０ｎｍ的ＳｎＯ＿２粒子，ＸＰＳ分析结果表明其内部电子结构发生了变化。
The SnO_2 part......
用射频磁控反应溅射法在Si基片上沉积SnO_2超微粒薄膜,溅射过程中适量掺Pd,用IC技术制成气敏元件.实验结果表明:该元件在90℃左右......
本文采用等离子体激活化学气相沉积制备了ＳｎＯ_２掺杂透明导电膜，并研究了薄膜的光学和电学性能．制得的薄膜电阻最低约为１７Ω／口，其可见光透射......
本文根据实验结果，分析了以ＳｎＯ＿２为主体材料的ＣｕＯ作添加剂的ＣｕＯ－ＳｎＯ＿２气敏传感器的敏感性能，并从理论上对其气敏机理进行了探讨。
Based on the exper......
本文利用准分子激光ＣＶＤ技术以液态ＳｎＣｌ４和氧气为源制出了半径４５μｍ的ＳｎＯ２薄膜微透镜及微透镜阵列。并从反应机制和生长规律出发对这一生长技术特点......
采用Ar+离子溅射方法将300nmSnO2薄膜沉积在Si片上．分别对膜层进行60keV，5×10(16)cm(-2)Mg+离子注入和100keV，5×10(16)cm(－2)Nb+离子......
通过Ｘ射线衍射（ＸＲＤ）、扫描电子显微镜（ＳＥＭ）、透射电子显微镜（ＴＥＭ）和高能电子衍射（ＲＨＥＥＤ）等技术，研究了由蒸发冷凝法制备的ｎ型半导体材料ＧｄＳｅ超细微粒涂层（ＣｄＳｅ／Ｎｉ）的烧结工......
研究了纯SnO_2及掺入5%at的Cu~(+2),Y~(+3),Si~(+4)的SnO_2纳米微粉晶粒尺寸随温度的变化情况:600℃以前晶粒生长缓慢;600℃以后晶......
以ＳｎＣｌ４·５Ｈ２Ｏ，ＦｅＣｌ３·６Ｈ２Ｏ及无水乙醇为主要原料，采用溶胶凝胶法制备了ＳｎＯ２∶Ｆｅ２Ｏ３混合薄膜，测量并研究了其在可见光区附近的丙酮气敏反射光谱。
SnCl 4 · 5H......
研究了环境温度变化对各种SnO_2元件气敏特性产生的影响.突出地表现为随着环境温度的降低(+40~-40℃),气敏元件在空气中的阻值R_0......
用EHMO方法计算了SnO_2(110)面原子簇模型,并计算了表面存在氧空位和氧原子吸附的情况.计算结果表明,表面四配位锡原子是吸附中心,......
本文以无机试剂为原料，采用溶胶—凝胶法制备了纳米级SnO2.以TG－DTA热分析、红外光谱及XRD、TEM等测试手段对纳米级SnO2的晶粒生长过......
引言近年来，SnO2系及Fe2O3系烧结型旁热式气敏元件应用越来越广泛．但由于两者导电机理不同，在选择使用时，对其工作区域的确定就显得极......
实验测量外加电场对 Ｓｎ Ｏ２ 纳米晶簇室温近紫外光吸收的影响程度，得到光吸收变化谱线和光吸收大小变化随外加电场变化曲线。它们均为一......
采用气相沉积法制得分子筛封装ＳｎＯ２纳米粒子，通过ＸＲＤ、ＵＶ－Ｖｉｓ、ＦＳ等手段对制备的样品进行了表征，封装在分子筛内部的ＳｎＯ２团簇的发射光谱中，不存在与吸收带......
通过对不同工艺条件制备敏感材料的ＤＴＡ谱图研究，讨论了制备条件和工艺条件对反应活化能的影响，得到活化能与材料电阻的变化关系．
The DT......
本文以ＳｎＯ_２为基体材料，通过几种稀土元素的掺杂，研制了乙炔气敏元件，大量的实验表明，掺入稀土元素钐对于Ｃ_２Ｈ_２的选择性和灵敏度有明显的提高．
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采用ＳｎＣｌ４ 水解溶液，用喷涂、退火的方法制备ＳｎＯ２ 薄膜，并研究了ＳｎＯ２ 薄膜的电特性和掺杂浓度的关系
Using SnCl4 hydrolysis solution, the SnO2......
