In^3+、Ga^3+掺杂BSPT高温压电陶瓷的研究

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将BiGaO3和BiInO3分别引入BiScO3-Pb—TiO3(BSPT)体系,并通过氧化物合成法制备了0.075BiGaO3-(0.925-z)BiScO3-xPbTiO3(BGSPTx,x=0.58~O.62)和0.075BilnO3-(0.925-x)BiScO3-xPb-TiO3(BISPTx,x=0.61~0.65)压电陶瓷。X射线衍射分析表明,BiGaO。和BilnO。的替换掺杂均不影响BSPT体系的钙钛矿结构。随着PbTiO3含量的增加,BGSPTx和BISPTx陶瓷由三方钙钛矿结构逐渐变
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