【摘 要】
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选取了HICUM,VBIC和AgilentHBT（AHBT）三种模型,介绍并分析了不同模型应用在磷化铟（InP）异质结双极型晶体管（HBT）器件模型抽取中的特点。HBT模型中的载流子渡越时间方程直接决定模型
【机 构】
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杭州电子科技大学“射频电路与系统”教育部重点实验室
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选取了HICUM,VBIC和AgilentHBT（AHBT）三种模型,介绍并分析了不同模型应用在磷化铟（InP）异质结双极型晶体管（HBT）器件模型抽取中的特点。HBT模型中的载流子渡越时间方程直接决定模型用于HBT器件截止频率表征精度,进而影响Pin-Pout和IMD3等非线性仿真精度。在HICUM,VBIC和AHBT模型忽略各自衬底寄生网络,保持三类模型本征网络一致的情况下,着重分析了三种模型用于InP HBT器件载流子渡越时间和特征频率曲线建模精度。其中HBT器件发射极尺寸为8μm×3μm
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