针对VBIC(vertical bipolar inter-company)模型对HBT多电压偏置下S参数拟合不够准确的问题,考虑了GaAs基HBT集电区载流子速度和耗......

选取了HICUM,VBIC和AgilentHBT（AHBT）三种模型,介绍并分析了不同模型应用在磷化铟（InP）异质结双极型晶体管（HBT）器件模型抽取中的特点。H......

在采用IC-CAP提取异质结双极晶体管器件的VBIC模型参数的基础上，设计出形式简洁的光调制器驱动电路．电路功耗仅为500mW，在2．5GHz信号下......

本文通过对HBT的VBIC模型参数提取的研究,提取了一套InGaP/GaAs功率管的VBIC模型参数。依据InGaP/GaAs HBT功率特性,简化了VBIC拓......

随着集成电路特征尺寸的不断缩小,ESD的问题始终困扰着芯片设计师们。文章提出了一种宏模型用于ESD的snapback仿真,它包含一个MOS......

集成电路制造工艺的不断进步促进了集成电路的飞速发展,器件模型是集成电路设计的基石,是联系集成电路设计和制造的桥梁。精确的器......

与同质结双极型晶体管相比，异质结双极型晶体管具有更为优越的频率特性。在众多HBT材料体系中， InGaP/GaAs材料的选择腐蚀比较高，且材......

提出一个应用于InGaP/GaAs HBT的简化的VBIC模型,描述了模型参数的提取方法,并把此模型应用于单、多指InGaP/GaAs HBT器件的建模.......