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具有降场电极U形漂移区SOI-LDMOS的耐压特性

来源 :半导体学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：clgg1976

【摘 要】

：

提出了一种具有降场电极 U形漂移区 SOI- L DMOS,借助 2 D泊松方程对其场分布进行解析分析和数值分析 ,结果证明该结构在与 RESURF结构相同的耐压下 ,具有器件长度小 ,漂移区

【作 者】

：

罗卢杨 方健 罗萍 李肇基 

【机 构】

：

电子科技大学IC设计中心,电子科技大学IC设计中心,电子科技大学IC设计中心,电子科技大学IC设计中心 成都610054,成都610054,成都610054,成都610054

【出 处】

：

半导体学报

【发表日期】

：

2003年02期

【关键词】

：

SOI LDMOS RESURF 

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提出了一种具有降场电极 U形漂移区 SOI- L DMOS,借助 2 D泊松方程对其场分布进行解析分析和数值分析 ,结果证明该结构在与 RESURF结构相同的耐压下 ,具有器件长度小 ,漂移区浓度高 ,导通电阻小的特点 .这表明降场电极是一种缓和漂移区掺杂浓度和耐压之间矛盾的有效方法 .该结构是一种器件耐压与导通电阻优化的新途径 .

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