磁控溅射法制备PVD薄膜晶格结构分析

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对物理气相沉积(PVD)薄膜材料和固体金属材料进行了XRD扫描分析。结果表明,PVD薄膜晶体与固体金属晶体未出现明显变化,但衍射峰呈现宽化。由于磁控溅射技术制备出的PVD薄膜晶粒是堆层沉积,致使PVD薄膜出现晶格不完整性,即存在各种晶格缺陷和晶格畸变。PVD薄膜晶格缺陷是导致薄膜材料电性能变化的主要原因。
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