低温外延生长应变SiGe材料研究

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【摘要】

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采用紫外光能量辅助化学气相淀积(UVCVD)方法,同时结合超高真空化学气相淀积(UHVCVD)及超低压化学气相淀积(ULPCVD)技术,在450℃低温外延生长了应变SiGe/Si材料.讨论了应变Si

【作者】

：

黄大鹏张鹤鸣戴显英胡辉勇

【机构】

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西安电子科技大学微电子研究所

【出处】

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电子科技

【发表日期】

：

2004年4期

【关键词】

：

低温外延生长 SIGE材料化学气相淀积紫外光超高真空 SiGe material CVD Ultraviolet Ultra High Vacuum

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采用紫外光能量辅助化学气相淀积(UVCVD)方法,同时结合超高真空化学气相淀积(UHVCVD)及超低压化学气相淀积(ULPCVD)技术,在450℃低温外延生长了应变SiGe/Si材料.讨论了应变SiGe材料的结晶性及生长速率与生长温度和Ge组分的关系,给出了应变SiGe材料的X射线衍射分析结果.

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