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考虑半导体中自旋轨道耦合作用的自旋翻转效应及铁磁半导体边界处的界面势垒作用，研究了自旋极化电子在准一维铁磁／半导体／铁磁（F／S／F）异质结中的输运行为，数值结果表明，随着界面势垒的增大能够实现电子自旋的翻转．随着两边铁磁体磁化方向夹角的变化，磁电阻在夹角为π处出现正负转变，而且磁电阻正负值的绝对值关于夹角π不对称，这些现象均起源于Rashba自旋轨道耦合作用而不是Dresselhaus自旋轨道耦合作用，与Dresselhaus自旋轨道耦合作用相比，Rashba自旋轨道耦合作用更能增大磁电阻效应。