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通过对低压压敏陶瓷烧成过程中的温度进行研究，并对电性能和微观结构进行对比分析，得到了ZnO-PbO系低压压敏陶瓷烧结过程中的最佳烧成温度、升温速率和保温时间，分别为烧成温度1000℃、升温速率3℃／min、保温时间2h。并结合微观结构及电性能，测试分析和探讨了其影响机理。
ZnO-PbO系低压压敏陶瓷的烧结制度研究
【摘 要】
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通过对低压压敏陶瓷烧成过程中的温度进行研究，并对电性能和微观结构进行对比分析，得到了ZnO-PbO系低压压敏陶瓷烧结过程中的最佳烧成温度、升温速率和保温时间，分别为烧成温度1
【机 构】
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昆明理工大学材料与冶金工程学院
【出 处】
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中国陶瓷工业
【发表日期】
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2006年4期
【基金项目】
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云南省科技攻关项目（编号：2002GG09）
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