【摘 要】
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利用机械剥离和高温减薄方法制备了厚度约为5 nm的GeSe纳米片,并通过设计实验装置测试了GeSe纳米片在不同浓度氧气(O2)和丁烷(C4H10)气体中的电导性能.结果表明,随着氧气浓度的增加,GeSe纳米片在相同电压下所测得的电流增大,而在丁烷气体中所测得的电流减小.通过第一性原理计算发现,O2分子从GeSe获得电子.气体浓度越大,P型半导体GeSe主要载流子空穴的浓度也越大,从而电导率增大.当GeSe吸附丁烷气体时
【机 构】
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湘潭大学物理与光电工程学院,湘潭大学数学与计算科学学院,中国科学院重庆绿色智能技术研究院
【基金项目】
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湖南省自然科学基金(批准号:2019JJ40280),湖南省重点领域研发计划(批准号:2019GK2101),湖南省学位与研究生教育改革研究项目(批准号:2020JGYB097,2020JGYB098),湖南省大学生创新性研究项目(批准号:S201910530020)资助的课题.
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利用机械剥离和高温减薄方法制备了厚度约为5 nm的GeSe纳米片,并通过设计实验装置测试了GeSe纳米片在不同浓度氧气(O2)和丁烷(C4H10)气体中的电导性能.结果表明,随着氧气浓度的增加,GeSe纳米片在相同电压下所测得的电流增大,而在丁烷气体中所测得的电流减小.通过第一性原理计算发现,O2分子从GeSe获得电子.气体浓度越大,P型半导体GeSe主要载流子空穴的浓度也越大,从而电导率增大.当GeSe吸附丁烷气体时
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