【摘 要】
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针对中低压绝缘栅双极型晶体管（IGBT）器件GPU50HF120D1W1进行了不同短路时间的测试，发现存在4种短路失效模式，通过定义临界短路能量，将4种失效模式分为两大类。高于临界能量的失效
【机 构】
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上海交通大学微电子学院,宁波达新半导体有限公司
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针对中低压绝缘栅双极型晶体管（IGBT）器件GPU50HF120D1W1进行了不同短路时间的测试，发现存在4种短路失效模式，通过定义临界短路能量，将4种失效模式分为两大类。高于临界能量的失效模式中，延迟失效的主要原因是漏电流与温度形成了正反馈，导致器件持续升温，超长时失效是延迟失效的一种极限情况；而低于临界能量的失效模式中，造成短时失效的主要原因是器件加工生产过程中的缺陷和不一致性引起局部漏电流过大。造成关断失效的主要原因是大电流快速关断和动态雪崩触发了IGBT的闩锁效应。
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