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二氧化钛用MOCVD方法生长于硅衬底上，膜厚在0．1～1μm之间．本文考察了温度对生长速率的影响，其中生长速率与衬底温度和有机源的温度都成指数关系，并通过作图求出钛源的活化能Ea＝1．05eV．TEM测试结果表明，生成的二氧化钛是多晶膜，为锐钛矿结构．将样品作XPS分析，测试出Ti3+随氧气流量的增加而减少，进一步研究表明，二氧化钛是n型半导体，它的电阻率随钛三价离子的减少而增大．