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应用化学电共沉积法在Ti片、导电玻璃和导电PI基片上制备了GaAs多晶薄膜,并在薄膜上应用电子束蒸发淀积了一层超薄的SiOx,然后采用PVD法在其上淀积一层金属薄层,制备出MIS结构的肖特基势垒.经测试Ag-SiOx-nGaAs结构和Au-SiOx-nGaAs结构的Ⅰ-Ⅴ特性,表明所制备的肖特基势垒具有良好的整流特性.