【摘 要】
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采用二甲基二氯化锡(DMTC)为新前驱体,通过常压CVD法在硼硅玻璃基板上制备SnO2∶F透明导电薄膜,研究了DMTC、TFA和H2O的含量对薄膜结构及光电性能的影响,研究表明当F/Sn物质
【机 构】
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海南大学,海南中航特玻材料有限公司,海南中航特玻科技有限公司
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采用二甲基二氯化锡(DMTC)为新前驱体,通过常压CVD法在硼硅玻璃基板上制备SnO2∶F透明导电薄膜,研究了DMTC、TFA和H2O的含量对薄膜结构及光电性能的影响,研究表明当F/Sn物质的量比为1∶1、H2O/Sn物质的量比为3∶2时,制备出可见光透过率84.17%、方块电阻9.2Ω/□且结晶性能良好的多晶SnO2薄膜。通过与单丁基三氯化锡(MBTC)为前驱体所制备薄膜的性能进行比较,结果表明,两种前驱体所制备薄膜均具有四方金红石结构,利用DMTC不仅可以制备出与MBTC性能相近的薄膜,同时薄膜表面更
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