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N 类型和 p 类型 6H-SiC 金属氧化物半导体(瞬间) 电容器样品与一个典型方法被制作，并且高频率电容器电压(C-V ) 这些样品弯在从 293 ～ 533 K 的温度被测量。在那里存在 n 类型和 p 类型样品之间的巨大的差别。n 类型样品的扁平乐队的电压移动与温度升起变得更大，但是 p 类型样品的很小的变化。这可以被剩余艾尔在 p 类型氧化物引起。两种类型原文如此，样品遵循随着温度变化的扁平乐队的电压的一样的规则。但是因为温度在 453 K 上面，他们的机制是不同的。两种类型中， p 类型原文如