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用近空间升华法制备CdTe薄膜.研究了在不同衬底材料、基片温度下薄膜的微结构.衬底温度在400℃以上薄膜结晶状况较为完整.结晶状况较好的CdS薄膜上生长的CdTe薄膜晶粒较大,尺寸均匀.对CdTe薄膜进行了加热后处理研究, 结果表明,加用CdCl2有助于热处理过程中薄膜晶粒的生长.
CdTe薄膜的制备和后处理研究
【摘 要】
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用近空间升华法制备CdTe薄膜.研究了在不同衬底材料、基片温度下薄膜的微结构.衬底温度在400℃以上薄膜结晶状况较为完整.结晶状况较好的CdS薄膜上生长的CdTe薄膜晶粒较大,尺
【机 构】
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四川大学材料科学系
【出 处】
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四川大学学报(自然科学版)
【发表日期】
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2002年2期
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