YSZ/STO/YSZ-STO超晶格电解质薄膜低温电学特性

来源 :真空科学与技术学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：cho159753

【摘要】

：

采用脉冲激光沉积法,在单侧抛光的STO基底上制备YSZ/STO/YSZ超晶格薄膜.利用X射线衍射、扫描电镜和射频阻抗/材料分析仪对多层膜的物相结构、表面形貌以及电学特性等进行表征

【作者】

：

康振锋刘文德李强郑平平范悦薄青瑞肖玲玲丁铁柱

【机构】

：

内蒙古大学物理科学与技术学院内蒙古自治区半导体光伏技术重点实验室呼和浩特010021

【出处】

：

真空科学与技术学报

【发表日期】

：

2015年1期

【关键词】

：

YSZ/STO/YSZ-STO超晶格多层薄膜脉冲激光沉积电导活化能电导率

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采用脉冲激光沉积法,在单侧抛光的STO基底上制备YSZ/STO/YSZ超晶格薄膜.利用X射线衍射、扫描电镜和射频阻抗/材料分析仪对多层膜的物相结构、表面形貌以及电学特性等进行表征.实验结果发现,YSZ/STO/YSZ超晶格薄膜在300～500℃之间,其电导活化能最小值为0.76 eV,在300℃时测得的电导率比体材料的电导率提高了三个数量级.

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