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采用二温区气相输运温度振荡方法合成了高纯单相致密的AgGaS2多晶，计算出晶格常数a＝5.7535nm,c＝10.3008nm，以及S原子位置x＝0.279，与PDF值相差很小，表明其是高质量的多晶原料。以此为原料用改进Bridgman法生长出直径15mm长度30mm的单晶体，经外形观测、解理试验和X射线衍射分析表明其是结晶完整的单晶体。