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以CW Ar 激光对非晶硅再结晶得到了SOM(Silicon on Metal)多晶硅新材料。其晶粒大小为10×40 μm2,杂质分布均匀,电学性能大大改善.用这种SOM材料已制备成功在1bar压力范围内灵敏度为6mV/V的性能良好的压力传感器。
金属薄片上无定形硅(SOM)的激光再结晶研究
【摘 要】
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以CW Ar 激光对非晶硅再结晶得到了SOM(Silicon on Metal)多晶硅新材料。其晶粒大小为10×40 μm2,杂质分布均匀,电学性能大大改善.用这种SOM材料已制备成功在1bar压力范围内灵敏度为6mV/V的性能良好的压力传感器。
【机 构】
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中国科学院上海冶金所离子束开放实验室,上海200050
【出 处】
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中国激光
【发表日期】
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1990年17期
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