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用正电子湮没命谱研究了塑性变形ｐ型砷化镓中的缺陷性质，样品原始载流子浓度为２．６３×１０＾１８ｃｍ＾－３，形变量分别为２．５％，５％，７．５％，１０％和１５％，室温正电子寿命测量结构显示，形变样品中有新的空间型缺陷产生，鉴定为空位团，根据塑性多变样品中空位团的正电捕获率的大小和寿命谱温度关系初步判断，在ｐ型ＧａＡｓ中，塑性形变产生的空位团的荷电性为正，正电子寿命温度实验显示，在低温下形变样品中还存