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采用直流反应磁控溅射方法在AISI304不锈钢和Si（100）表面沉积了TiN薄膜，利用场发射扫描电镜、X射线衍射仪和电化学技术研究了基体温度对TiN薄膜结构与电化学性能的影响。结果表明：TiN薄膜为柱状结构，表面平整、致密，但基体温度高于300℃时膜表面存在微裂纹。薄膜为面心立方结构争TiN并存在择优取向，室温和150℃时的薄膜择优取向为（111）晶面，300℃和450℃时为（200）晶面；基体为室温时薄膜厚度为0．63μm，温度提高到150℃后膜厚增加到1μm左右，但继续升温对膜厚影响并不明显。薄膜在