GaAs IC研究与开发进入高潮期

来源 :固体电子学研究与进展 | 被引量 : 0次 | 上传用户:oklizheng
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GaAs IC包括VHSIC和MMIC,mm-Wave MMIC。这些电路是以GaAs MESFET,HEMT和HBT等有源器件为基础建立起来的高性能、新功能的新一代集成电路。它们主要用于微波通信,卫星电视接收,光纤通信,超高速计算机,军用电子等等。经过十多年来的研究开发,目前国际上GaAs IC正进入高潮期:研究开发已形成热潮,工艺技术日趋成熟,电路产品大量涌现,引导线和生产厂纷纷建立,整机应用正大力开展,市场正在形成。目前GaAs IC的发展形势犹如60年代中期至70年代Si IC一样,技术水平成数量级的提高,产品市场成倍地增长。中国要发展GaAs微电子学,人力、技术和资金的投入已是刻不容缓的事。 GaAs IC includes VHSIC and MMIC, mm-Wave MMIC. These circuits are new generations of high-performance, new-generation integrated circuits based on active devices such as GaAs MESFETs, HEMTs and HBTs. They are mainly used in microwave communications, satellite television reception, optical fiber communications, ultra-high-speed computers, military electronics and more. After more than a decade of research and development, the current international GaAs IC is entering a climax: research and development has become a boom, technology matures, a large number of circuit products emerged, guide lines and manufacturing plants have been established, the whole application is vigorously carried out, The market is taking shape. At present, the development of GaAs IC is just like that of Si IC from the mid-1960s to the 1970s with the technical level increasing by orders of magnitude and the product market doubled. It is an urgent matter for China to invest in the development of GaAs microelectronics, manpower, technology and capital.
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