论文部分内容阅读
采用射频磁控溅射方法,制备了NiFe/Cu/CoFe和CoFe/Cu/CoFe/NiO两种不同结构类型的自旋阀.当使用Ag作为镜面覆盖层时,发现当Ag厚度大约在2.0~2.4nm时,不同结构的自旋阀样品NiFe/Cu/CoFe和CoFe/Cu/CoFe/NiO的巨磁电阻(GMR)都有较大幅度的提高.对Ag(tAg nm)/NiFe(6nm)/Cu(2.2nm)/CoFe(4nm)结构自旋阀,当tAg=2nm时,样品的GMR达到3.4%;对Ag(tAg nm)/CoFe(4nm)/Cu(2.2nm)/CoF