论文部分内容阅读
根据硅片直接键合工艺中硅片的杂质分布与扩散规律，使用集成电路模拟软件T—SUPREM4建立一个键舍过程中杂质再扩散模型。该模型有利于MEMS和IC电路的集成化设计。使用该模型对键合热处理时的杂质再扩散进行模拟，得到了在500C温度下进行键合时界面处杂质的分布曲线。结果表明，热处理1h杂质再扩散已基本停止；键合界面处的氧化层对杂质扩散有明显的阻止作用．这有利于改善器件性能。