直接键合相关论文
由于基于光纤法布里-珀罗腔的传感器具有抗电磁干扰、易于小型化、灵敏度高、耐高温、成本低等优点,因此被广泛应用于航空航天、大......
针对高温环境下压力参数的原位测试需求，本文基于碳化硅（SiC）材料优异的耐高温特性，研制了一种光纤法珀式全SiC结构耐高温压力传感器。......
晶圆低温直接键合技术与传统键合方式相比具有对晶片及器件损伤小、无中介层污染、无需外部电场辅助等优势,在功率型半导体光电及......
多层圆片键合是实现三维垂直互连封装的重要工艺步骤。利用紫外辅助表面活化技术,实现了多层硅圆片的直接键合。实验将清洗后的硅......
研究了 In P/In P的直接键合技术 ,给出了详细的 In P/In P键合样品的电特性随健合工艺条件变化的数据 ,在低于 6 5 0℃的键合温度......
介绍了硅片的直接键合工艺、键合机理、键合质量评价方法以及键合技术目前的研究和应用状况等
The direct bonding process, bond......
在消费电器和一般工业应用的低功率电机驱动领域中,采用转模(transfer-molded)封装的智能功率模块是目前的发展趋势.飞兆半导体的......
讨论了采用Ⅲ-V族化合物材料制备多结太阳电池时的材料选择和实现方案,重点探讨了采用渐变缓冲层、引入InGaAsN等新材料以及直接键......
采用直接键合的方法成功实现了n-GaAs和p-GaN晶片的高质量键合.扫描电子显微镜观测结果表明,键合界面没有空洞.键合前后光致发光谱......
针对现有的硅基高温压力传感器不满足更高温度环境(≥500℃)下测试需求的问题,设计并制备了一种基于碳化硅(SiC)材料的电容式高温......
提出利用Au/Au直接键合制作高亮度全方位反光镜（ODR）LED的新工艺。工艺采用Si做转移衬底,氧化铟锡（ITO）做窗口层和缓冲层,在0.35mPa压......
根据硅片直接键合工艺中硅片的杂质分布与扩散规律，使用集成电路模拟软件T—SUPREM4建立一个键舍过程中杂质再扩散模型。该模型有利......
根据JKR接触理论，推导出晶片直接键合时晶片接触表面粗糙度需要满足的条件，其中晶片接触表面粗糙度的描述是基于缝隙长度和缝隙高度......
采用键合技术在Si基上制备了InP-InGaAsP量子阱激光器,实现了电注入室温连续工作.采用低温直接键合的方法,将Si衬底和InP-InGaAsP......
通过封装实验和性能检测,成功验证了表面活化直接键合技术应用于圆片级气密封装的可行性。实验中使用刻蚀出方形槽的硅圆片,通过化......
在硅基上成功地制备出了1．55μm InP-InGaAsP量子阱激光器．设计并生长了适合于键合的量子阱激光器结构材料，通过直接键合技术，将Si衬底......
通过新颖的键合方法实现了Si/Si直接键合.采用傅里叶红外透射谱(FTIR)对Si/Si键合界面进行了研究,结果表明,高温退火样品的界面组......
采用三步法在GaAs衬底上实现InP材料的键合,通过X-射线光电子谱(XPS)对样品键合界面进行化学价态和深度分布分析.结果表明,键合温......
5生物微系统生物微系统在生物传感和芯片上实验室两方面的应用有长足发展,前者具有提供稳定的观察、小体积、生物相容性和低寄生阻......
随着MEMS器件的广泛研究和快速进步,非硅基材料被广泛用于MEMS器件中.键合技术成为MEMS器件制作、组装和封装的关键性技术之一,它......
硅基材料是MEMS器件制造的重要材料,为了避免封装过程中高温工艺对器件的不利影响,该类材料的低温连接方法受到科研工作者的广泛关......
随着芯片集成度的不断提高以及CMOS工艺复杂度的增加，集成电路的成本及性能方面的问题越来越突出，基于TSV技术的三维集成已成为研究......
综述了硅基薄膜多结太阳能电池的制备技术及进展,介绍了电池中间层、隧穿结、高倍聚光以及直接键合等硅基多结太阳能电池的各种新......
采用直接键合的方法将Nd：YAG激光棒与Cr^4＋：YAG调Q元件结合在一起,对Nd：YAG棒和Cr^4＋：YAG在键合前后的激光性能进行了实验比较.结果表明,......
键合晶体作为激光工作物质,可以有效地控制热负载,减小端面的变形和损伤,降低光束的波前畸变。基于键合面缝隙闭合理论,分析了激光......
基于Cu/Nb金属体系的连接件和复合材料因其优异的性能,在核能、电子科技领域、航空航天领域和汽车领域等越来越受到研究者的青睐。......
利用正交实验,对单晶硅表面活化工艺中重要参数对活化效果的影响进行了研究,并优化了工艺。实验针对RCA活化溶液处理工艺的特点,选......
铌酸锂光波导以其超快响应速度和超宽响应带宽，无自发辐射噪声以及非线性效应丰富等诸多优点被广泛应用于多种全光信号处理技术中，世......
本文基于原子扩散理论模型,试图介绍一种蓝宝石芯片直接键合技术,给出一定扩散距离下键合温度与键合时间的关系;开展了蓝宝石芯片......
键合前用CF4等离子体对硅片表面进行处理，经亲水处理后，完成对硅片的预键合。再在N2保护下进行40h 300℃退火，获得硅片的低温直接键合......
硅片直接键合技术在微机电系统,绝缘体上硅材料的制造和三维集成领域有着重要的应用。跟中介层键合技术和阳极键合技术相比,直接键......
键合温度是晶圆键合技术最重要的指标,对于含有温度敏感材料器件的键合,高温键合技术是不适用的,因此降低键合温度实现低温晶圆键......
本课题的研究内容属于国家自然科学基金项目(60578022)-用直接键合技术制备的双包层波导激光器的研究-的一部分。直接晶片键合技术......
人类对物质化学结构的认识,指导了化合物的发现与合成,也推动了化学理论和工业的发展。正因为此,其在人们认识自然的过程中成为研......
