【摘 要】
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半导体工艺中图形位置精度作为掩模版的关键技术指标直接决定着光刻套准精度和最终芯片的良品率.在分立器件行业,为满足微米级特征尺寸图形套准精度,要求工作掩模版图形位置精度达到亚微米级.依据掩模版复制原理提出了一种真空复制光刻方案,并利用有限元方法分析真空复制工艺中掩模版的应力应变对图形位置精度的影响.针对5英寸(1英寸=2.54 cm)苏打掩模版,测试不同真空度下工作掩模版的图形位置精度,实验结果表明制作的工作掩模版胀缩率小于4ppm(1 ppm=10-6),正交性偏差角度小于2μrad,图形位置精度优于50
【机 构】
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中国电子科技集团公司第五十五研究所,南京 211100
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半导体工艺中图形位置精度作为掩模版的关键技术指标直接决定着光刻套准精度和最终芯片的良品率.在分立器件行业,为满足微米级特征尺寸图形套准精度,要求工作掩模版图形位置精度达到亚微米级.依据掩模版复制原理提出了一种真空复制光刻方案,并利用有限元方法分析真空复制工艺中掩模版的应力应变对图形位置精度的影响.针对5英寸(1英寸=2.54 cm)苏打掩模版,测试不同真空度下工作掩模版的图形位置精度,实验结果表明制作的工作掩模版胀缩率小于4ppm(1 ppm=10-6),正交性偏差角度小于2μrad,图形位置精度优于500 nm.结果 表明该方案适用于微米级图形掩模版的制作,可显著降低制版成本.
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