适用于嵌入式五口SRAM的多频率内建自测电路

来源 :固体电子学研究与进展 | 被引量 : 0次 | 上传用户:huangys
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提出了一种多频率带有扫描链的BIST方案,用于五口的32×32嵌入式SRAM的可测性设计.分析了多口SRAM的结构并确定其故障模型,在此基础上提出了一种名为"对角线移动变反法"(OMOVI)的新算法及其电路实现.与传统的"移动变反法"(MOVI)相比,在保证故障覆盖率前提下,测试图形的测试步数由原来的12Nlog2N减小为N/2+2Nlog2N(N为SRAM的容量).该方案集功能测试、动态参数提取和故障分析定位于一体,而且具有很强的灵活性和可扩展性.
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