铁电电容相关论文
现代主流存储器技术达到技术发展的瓶颈,而新型非易失性存储器反而在快速发展。其中铁电存储器（FRAM）以其非易失性、低功耗、长寿命......
研制了低顾耗、高可调的BST铁电电容，该电容介电损耗约0.01、介电调谐率约55％.采用该BST变容管设计了梳状线结构的2.0 GHz三阶耦合谐......
相比于传统的闪存存储器（Flash）,铁电存储器（FRAM）因其高读写速度、低功耗、高保持特性以及高耐久性,被广泛认为是具有发展前景的一种......
从描述铁电电容的P-V滞回特性出发,本文在ZSTT宏模型的基础上提出了一个用于CAD设计的铁电电容宏模型,并成功利用此模型对铁电存储......
利用原子层淀积工艺制备了9 nm厚的铪锆氧(Hf0.5Zr0.5O2)铁电薄膜.通过淀积TiN顶/底电极形成Hf0.5Zr0.5O2铁电电容,研究退火工艺和......
根据铁电体的特征电滞回线和微观结构特点,将构成铁电体的晶胞等效为偶极子. 通过分析偶极子在电场作用下的极化反转机理,运用统计......
用一种物理方法解释了非理想铁电电容器的电路行为。在该方法中把分立的铁电电容假设为堆积状的介电层结构，包括铁电层和非开关介电......
集成铁电电容的制备是铁电存储器的关键工艺之一。该文采用射频（RF）磁控溅射法在Pt／Ti／SiO2／Si制备Pb（Zr，Ti）O3（PZT）薄膜，上下电极Pt采用剥离......
文章提出了一个基于VLSI的4 k位串行铁电不挥发存储器的实现方案。该电路采用2T-2C的存储单元设计，针对铁电电容的读出和写入的电流......
在铁电存储器制备过程中,Pb（Zr0.52Ti0.48）O3（PZT）铁电薄膜需经历多次热处理,铁电电容工艺与标准CMOS工艺的集成加工过程中可能存在交......
介绍了一种刻蚀效果良好的PZT铁电薄膜反应离子刻蚀方法。利用深反应离子刻蚀设备研究了反应离子刻蚀中刻蚀气氛、刻蚀功率及刻蚀......
铁电负电容场效应晶体管作为一种新型半导体器件,利用铁电材料的负电容效应可使晶体管的亚阈值摆幅突破理论极限值60 mV/dec,是未......
从描述铁电电容的P－V滞回特性出发，本文在ZSTT宏模型的基础上提出了一个改进的铁电电容宏模型，并成功利用此模型对铁电存储器（FeRAM)进......
在铁电不挥发存储器(FERAM)技术中,集成铁电电容的制备是关键工艺之一.文中提出一种制备集成铁电电容的改进工艺:采用lift-off技术......
随着集成铁电工艺的迅速发展和铁电电容的广泛应用,铁电电容模型的缺乏已成为制约基于铁电电容电路设计和优化的瓶颈.文中提出的非......
推导出描述铁电电容电气特性的新模型．铁电电容可以等效为开关电容(电畴电容)和非开关电容(普通线性电容)的并联，而电畴电容可以看作......
研究了铁电电容的制作工艺，摸索了Ｐ（Ｌ）ＺＴ铁电薄膜及上、下电极材料的微细图形加工工艺条件，总结出切实可行的工艺流程及相应的工艺条件。......
基于对铁电电容实际测试性能及物理模型的分析，在仿真软件HSIM原始电容模型库的基础上，通过对实验室制备的铁电电容电滞回线的拟合，得......
基于电子科技大学研制的铁电电容的参数,修正了HSIM软件中的铁电电容模型,利用此模型,设计了2T-2C铁电存储单元的读写电路,分析了......
在分析铁电存储器工作原理以及铁电薄膜材料抗辐射能力的基础上，综述了商业化铁电存储器的发展历程以及辐射实验结果。总结了抗辐射......
本文首先基于铁电电容的C～V、Q～V、I～V特性曲线来描述铁电电容的性能,定义了铁电电容的八个新的参数,并从理论上分析了铁电电容的C～V、......
采用水基化学溶液涂布(water-based coating)的方法,在SiO2/Si上制备出了LaNiO3(LNO)导电金属氧化物薄膜.系统研究了退火温度、退......
运用电路仿真研究了单粒子瞬态脉冲效应对铁电存储单元存储特性的影响.结合单粒子对MOS器件的影响,用电流模拟单粒子对存储单元的......
铁电材料是一种功能材料，它不仅具备铁电特性，而且具有高介电常数、压电效应、热释电效应、电光效应等特殊性质，可以应用于 High-K 介......
本论文重点研究了铁电薄膜与隧道结存储器件的性能模拟及失效机理。从铁电薄膜的制备、最基本的电极化性能测量进行展开,详细讨论......
随着电子信息技术领域各种新技术的快速发展,对高性能存储器的需求越来越大,而被称之为“存储器终结者”的铁电存储器(FRAM),作为......
从描述铁电电容的P V滞回特性出发 ,本文在ZSTT宏模型的基础上提出了一个改进的铁电电容宏模型 ,并成功利用此模型对铁电存储器 (F......
