【摘 要】
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采用TSMC公司的0.18μm CMOS工艺,设计了一款具有带外抑制功能的超宽带低噪声放大器(UWB LNA),电路基于窄带PCSNIM LNA拓扑结构,并利用二阶切比雪夫滤波器和带外抑制电容代替
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采用TSMC公司的0.18μm CMOS工艺,设计了一款具有带外抑制功能的超宽带低噪声放大器(UWB LNA),电路基于窄带PCSNIM LNA拓扑结构,并利用二阶切比雪夫滤波器和带外抑制电容代替传统输入匹配网络。电路由1.8 V直流电源供电,功耗约为11.5 mW。仿真结果表明,在3 GHz~5 GHz的超宽带频段内,平均正向增益约为13.9 dB,输入、输出回波损耗S11和S22分别小于-13 dB和-15 dB,最小噪声系数仅为0.997 dB,三阶交调点IIP3均值为5.40 dB。此外,反向隔离
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