【摘 要】
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本文采用ICP-MS法对高纯碳化硅粉表面的Na、Al、Ti、V、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Cu、Zn、Cd 12种痕量杂质进行测定，用氢氟酸溶液浸提试样表面杂质，用钆做内标补偿基体效应和仪器的
【机 构】
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中国电子科技集团公司第四十六研究所
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本文采用ICP-MS法对高纯碳化硅粉表面的Na、Al、Ti、V、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Cu、Zn、Cd 12种痕量杂质进行测定，用氢氟酸溶液浸提试样表面杂质，用钆做内标补偿基体效应和仪器的漂移，用碰撞反应技术消除多原子离子干扰，通过实验确定最佳优化测定条件。方法检出限为0.005-0.036μg/L;加标回收率为80.0%-120.3%之间；RSD为1.78%-8.95%。方法操作简便、快速、准确。
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