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应变Si/SiGe异质结构通过大剂量Ge离子注入并结合高温快速热退火制备而成. 325 nm波长的紫外激光被用于调查应变Si盖层的Raman谱特征. 实验发现, 硅盖层中的张应变导致硅的520 cm-1的一级拉曼散射峰向低频方向偏移, 峰的偏移程度反映硅盖层中横向张应力的大小约为12.5×108 N·m-2. 硅盖层中的张应变并未导致1 555和2 330 cm-1的次级拉曼散射峰的变化.