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采用等离子体增强化学气相沉积（PECVD）法，在玻璃衬底上不同的氢稀释比下低温制备了微晶硅（μc-Si：H）薄膜。利用拉曼（Raman）散射谱研究显示当H2稀释比从95％升高到99％，所得硅膜晶粒大小从2.98nm增加8.79nm，晶化率从24％增加到91％；暗电导测试结果从1.32×10^-6scm。增加到7.24×10^-3scm^-1；沉积速率却大大降低。沉积出的薄膜在进行高温炉退火后，扫描电镜（SEM）显示样品表面孔洞变大增多，推测是氢逸出所致。