【摘 要】
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《Applied Physics Letters》1982年7月刊载文: 贝尔实验室S·R·Forrest等人从实验中观察到高灵敏度In_(0.53)Ga_(0.47)As/InP雪崩二极管对长波长光脉冲存在的瞬态慢响应是
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《Applied Physics Letters》1982年7月刊载文: 贝尔实验室S·R·Forrest等人从实验中观察到高灵敏度In_(0.53)Ga_(0.47)As/InP雪崩二极管对长波长光脉冲存在的瞬态慢响应是In_(0.53)Ga_(0.47)As/InP异质结界面上价带突变而引起的电荷堆积所致,并且同光入射方向(正面或背面)、强度以及偏置电压和
Applied Physics Letters, July, 1982: Bell Labs S Forrest et al. Observed from experiments that the high-sensitivity In_ (0.53) Ga_ (0.47) As / InP avalanche diodes have the effect of long- The slow state response is caused by the charge accumulation caused by the mutation of the valence band at the In_ (0.53) Ga_ (0.47) As / InP heterojunction interface. The slow charge response is related to the incident direction (front or back), intensity and bias voltage
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