【摘 要】
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新近成立的Micromem TechnologieS公司(位于美国新墨西哥州的Santa Fe)想利用称为Magram的磁性存储器击败半导体存储器。Magram具有铁磁芯的不挥发性,又可以达到半导体存储
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新近成立的Micromem TechnologieS公司(位于美国新墨西哥州的Santa Fe)想利用称为Magram的磁性存储器击败半导体存储器。Magram具有铁磁芯的不挥发性,又可以达到半导体存储器所能达到的密度。它有可能实现我们多年来渴望实现的梦想;制成为价格便宜,存储密度高,又具有不挥发性的器件。如果简单从概念上
The newly formed Micromem Technologie S (Santa Fe, NM, USA) wanted to beat semiconductor memory with a magnetic memory called Magram. Magram has a non-volatile ferromagnetic core, but also can achieve the density of semiconductor memory. It is possible to realize the dream that we have long aspired to achieve; made as a device that is cheap, has a high storage density, and is non-volatile. If simple from concept
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