淀积相关论文
本文利用ＰｔＳｉ／ｎ－Ｓｉ接触试制成一种新的肖特基势垒二极管，其反向击穿电压一般在１５Ｖ以上，最高达到３５Ｖ。测试了它的Ｉ－Ｖ特性，并与理论计算结果进行了比较和分......
提出了一种新的激光光化学三元反应体系，用于制备硫化铅薄膜。应用吸收光谱、扫描电镜和Ｘ射线光电子能谱等测试手段研究了膜的性质和......
针对铝乳胶源涂布与气相镓相结合的开管受主双质扩散技术，本文就其掺杂机制进行了分析讨论
Aiming at the open-tube acceptor dou......
利用脉冲准分子激光（工作气体ＸｅＣｌ，波长３０８ｎｍ，脉宽２８ｎｓ）在外延ＹＢＣＯ／ＬａＡｌＯ３（１００）单晶基片上淀积了Ｐｂ（Ｚｒ０．５５Ｔｉ０．４５）Ｏ３铁电薄膜，ＹＢＣＯ薄膜既为生长高取向ＰＺＴ薄膜提供了晶体匹配条件，同时也为ＰＺＴ铁电薄膜......
阐述了电子回旋共振等离子体化学气相沉积法淀积半导体器件端面光学膜的优良特性，介绍了淀积反射率小于１０－４的１３１０ｎｍ半导体激光器端面增透膜技......
实验使用脉冲激光熔蚀金属铝靶，使溅射的物质粒子和真空室中的氮气反应以淀积氮化铝（ＡｌＮ）薄膜，淀积时引入氮气直流放电以促使Ａｌ和Ｎ发生完全反......
Berkeley实验室的研究人员在Si衬底上采用氮化铪(H_fN)中间层生长出优良结构和光学质量的GaN膜。这些研究人员还建立了在Si上淀积......
亚琛电磁研究所订购了一台Aixtron公司的AIX200/4 RF—S设备。这台设备将用来研究基于Si衬底的GaN淀积。预计低成本的Si衬底与GaN......
成功研制出蓝宝石衬底的槽栅增强型AlGaN/GaN HEMT.栅长1.2μm,源漏间距4μm,槽深15nm的器件在3V栅压下饱和电流达到332mA/mm,最大......
集成电路中金属连线的逆流电迁移(EM)的双峰失效现象在45 nm双大马士革低k材料铜布线工艺中变得尤为突出,介绍了由于空洞存在于连......
采用扫描电子显微镜和电学分析技术研究了电荷耦合器件(CCD)多晶硅层间绝缘介质对器件可靠性的影响。研究结果表明,常规热氧化工艺......
超大规模集成电路设计和制造过程中,基于栅氧化层击穿的天线效应已得到广泛研究。从一个数模转换电路的漏电失效案例分析着手,利用......
采用ＨＦＣＶＤ生长法，以较低生长温度，在Ｓｉ（１１１）衬底上淀积３Ｃ－ＳｉＣ（１１１）薄层。用ＸＲＤ、ＶＡＳＥ、ＸＰＳ等分析手段研究了薄层的结构、光学常数、组分及化学键等性能。ＸＲＤ显示薄层具有明......
介绍了国内外一些超精密技术应用在微机械加工中的方法。
Introduced a number of domestic and foreign ultra-precision techno......
六氟化钨是钨的氟化物中唯一稳定且被工业化应用的品种,它在电子工业、化学气相沉积技术、材料工业等领域应用广泛,本文主要介绍了......
这是一片神奇的地方。远古先民的气息和现代都市的时尚在这里融汇，科技创新的光芒和文化吐芳的清香在这里碰撞，海纳百川，淀积千里，这里......
建立了一套新型物理喷束淀积装置，并且成功地进行了薄膜制备工作。所制备的薄膜包括C60，C70，PVK，PVK／C60等薄膜，并测量了物理喷束淀积技......
采用脉冲激光加辅助离子源的方法在长为６．０ｃｍ的ＮｉＣｒ合金基带上制备０．１３μｍ厚的Ｙ－ＺｒＯ２（ＹＳＺ）隔离层，再用脉冲激光在ＹＳＺ／ＮｉＣｒ带上制备１．５μｍ厚的ＹＢａ２Ｃｕ３Ｏ７－ｘ超导厚膜形成ＹＢＣＯ／ＹＳＺ／ＮｉＣｒ超导带材。实验测......
利用模拟土柱研究了红壤母质在淹水条件下物质的迁移规律及不同水分条件对作物生长的影响。土柱施加有机质淹水后,矿质元素活化,部......
以江苏、安徽两省发育在基性岩和下蜀黄土母质的丘陵岗地黄棕壤为试材,进行土壤晶体光学和化学分析.结果表明,粘盘层中一半以上的......
本文详细地叙述了用 Si2N4/SiO2作栅介质的 P 沟硅栅器件的工艺。这个特殊工艺的许多引人注目的特点包括多晶硅和硅的接触.用玻璃......
期刊
制作尺寸小到1微米的构件是电气、光学和机械系统朝着提高复杂性和微型化方向发展的一个关键问题。微结构工艺从半导体工业的研究......
我们在生产XFC-80双运算放大器,和F010低功耗运算放大器时,隔离预淀积开始用液态源扩散,经常出现R_口偏大,饱和时间长,尤其是在盛......
在金属-氧化物-半导体集成电路中,以硅栅代替铝栅的方法具有低阈值电压和自对准结构等优点,为国内外广泛采纳。硅栅MOS集成电路对......
用化学蒸汽淀积的(CVD)各向同性氮化硼(BN)制成的介质容器,在大功率天线开关器件中,可以用来代替通常采用的石英外壳。由于氮化硼......
到目前为止,极大多数的分立元件和集成电路的制造都是采用液态三溴化硼或者汽态乙硼烷作为硅热扩散的 P 型扩散源。这两种方法都......
PECVD SiN膜在半导体器件表面钝化推广应用中,采用一种SiO-SiN双重结构形式.本文介绍了有关的试验数据、理论分析以及实际应用.
P......
在半导体器件的制造工艺中,向硅衬底中掺以P型或N型杂质形成PN结的时候居多,但是,本文应用的是形成PN结最基本的方法——杂质热扩......
在亚利桑那大学和其它单位正在继续进行一项有很大希望的离子辅助淀积镀膜技术。用普通方法淀积的透射膜,各次工作之间的折射率会......
铁电溅射膜可能在集成光学领域内得到应用,尽管大多数波导作用元件以单品结构为基础。众所周知,多晶体或陶瓷材料有明显的电-光效......
本文报导了锑乳胶源埋层扩散的实验结果,讨论了影响扩散质量的若干因素,并与箱法锑扩进行了比较.实验获得埋层薄层电阻为20Ω/□,......
利用红外吸收光谱法,测量了氮化硅膜中的氢浓度。在钝化前后,对MOS结构界面性质及MOS器件特性进行了研究。结果表明:氮化硅膜中的......
哥丁根的马-普生物物理化学所首次用激光直接书写法制成三维微型结构——只有火柴头大小的埃菲尔铁塔。 Michael Stuke说:“我们......
美国海军研究实验室的物理学家已发展一种制作亚微米玻璃间质——纳米沟道玻璃的方法,这种玻璃可作为掩模或光电子、半导体材料的......
激光可编程门列阵技术宋登元（河北大学电子与信息工程系）专用集成电路（ＡＳＩＣ）是一种为特定用户或特定电子系统制作的集成电路。由于它具有功......
《语文课程标准》指出：“语文课程丰富的人文内涵对学生精神领域的影响是深广的，学生对语文材料的反应又往往是多元的。因此，应该重视......
该文从挂篮荷载计算、施工流程、支座及临时固结施工、挂篮安装及试验、合拢段施工、模板制作安装、钢筋安装、混凝土的浇筑及养生......
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