微处理器80C86及其外围芯片协合效应实验研究

来源 :原子核物理评论 | 被引量 : 0次 | 上传用户：huangwily

【摘要】

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研究了总剂量辐照对微处理器80C86及其外围芯片82C85单粒子效应敏感度的影响. 252Cf轰击80C86获得的单粒子效应截面在0-120 Gy(Si)剂量范围内没有明显的变化; 外围芯片82C85

【作者】

：

张庆祥杨兆铭

【机构】

：

兰州物理研究所真空低温技术与物理国家实验室

【出处】

：

原子核物理评论

【发表日期】

：

2002年1期

【关键词】

：

单粒子效应总剂量效应微处理器外围芯片协合效应实验研究空间辐射星载电子系统 single event effecttotal dose effect

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研究了总剂量辐照对微处理器80C86及其外围芯片82C85单粒子效应敏感度的影响. 252Cf轰击80C86获得的单粒子效应截面在0-120 Gy(Si)剂量范围内没有明显的变化; 外围芯片82C85中发生的单粒子脉冲可能引起系统故障.

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