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报道了用低压化学汽相淀积生长掺砷多晶硅的实验结果。应用掺砷多晶硅作发射板材料，研制出Ｃ波段连续波输出功率大于３Ｗ的晶体管和Ｌ，Ｐ波段１００Ｗ的脉冲功率晶体管。
掺砷多晶硅在微波晶体管中的应用
【摘 要】
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报道了用低压化学汽相淀积生长掺砷多晶硅的实验结果。应用掺砷多晶硅作发射板材料，研制出Ｃ波段连续波输出功率大于３Ｗ的晶体管和Ｌ，Ｐ波段１００Ｗ的脉冲功率晶体管。
【机 构】
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南京电子器件研究所
【出 处】
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固体电子学研究与进展
【发表日期】
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1994年03期
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