小尺寸MOSFET隧穿电流解析

来源 :物理学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：zbwang12315

【摘要】

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基于表面势解析模型,通过将多子带等效为单子带,建立了耗尽/反型状态下小尺寸MOSFET直接隧穿栅电流解析模型.模拟结果与自洽解及实验结果均符合较好,表明此模型不仅可用于SiO

【作者】

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陈卫兵徐静平邹晓李艳萍许胜国胡致富

【机构】

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华中科技大学电子科学与技术系

【出处】

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物理学报

【发表日期】

：

2004年期

【关键词】

：

隧穿电流 MOSFET 量子机理解析模型

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基于表面势解析模型,通过将多子带等效为单子带,建立了耗尽/反型状态下小尺寸MOSFET直接隧穿栅电流解析模型.模拟结果与自洽解及实验结果均符合较好,表明此模型不仅可用于SiO2、也可用于高介电常数(k)材料作为栅介质以及叠层栅介质结构MOSFET栅极漏电特性的模拟分析,计算时间较自洽解方法大大缩短,适用于MOS器件电路模拟.

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