n—InP半导体电极平带电位的研究

来源 :化学学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户:logan_lxh
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用微分电容法及强光照开路电位法研究了电解质溶液的pH、氧化还原对、交流电频率、n-InP晶面及表面处理对其液结界面平带电位的影响,并测定了n-InP半导体电极的一些参数. The effects of electrolyte pH, redox couple, alternating current frequency, n-InP crystal plane and surface treatment on the flat potential of the liquid junction interface were investigated by using differential capacitance method and bright-open-circuit potential method. The effects of n-InP semiconductor Some parameters of the electrode.
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