P型浮空发射区结构参数对IBC太阳电池电学性能的影响

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【摘要】

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首先,利用TCAD半导体器件仿真软件对比分析了在无前表面结构、N型前表面场(Front Surface Field,FSF)及P型前表面浮空发射区(Front Floating Emitter,FFE)三种不同情况下N型

【作者】

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林涛夏婷婷

【机构】

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江苏联合职业技术学院南京工程分院

【出处】

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硅酸盐通报

【发表日期】

：

2018年10期

【关键词】

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背接触太阳电池浮空发射区表面浓度扩散深度转换效率 back contactsolar cellfront floating emittersurfac

【基金项目】

：

江苏省教育厅高校“青蓝工程”优秀骨干教师培养项目(XHJX2017060)

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首先,利用TCAD半导体器件仿真软件对比分析了在无前表面结构、N型前表面场(Front Surface Field,FSF)及P型前表面浮空发射区(Front Floating Emitter,FFE)三种不同情况下N型插指背接触(Interdigitated Back Contact,IBC)太阳电池的输出特性。然后详细分析了FFE表面浓度和扩散深度对IBC太阳电池转换效率的影响,并在不同的前表面复合速率、背表面发射区覆盖比例及衬底电阻率情况下,针对FFE对IBC太阳电池电学性能的改善效果进行分析和评价

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