【摘 要】
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采用磁控溅射掩膜制备工艺,在n型Si衬底上分别制备了底栅型p沟道Cu2O半导体薄膜场效应晶体管(TFTs).用XRD、SEM、XPS等检测分析方法对不同条件下制备的Cu2O薄膜的晶体结构、
【基金项目】
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国家自然科学基金资助项目(61076104),辽宁省自然科学基金重点资助项目(2017523).
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采用磁控溅射掩膜制备工艺,在n型Si衬底上分别制备了底栅型p沟道Cu2O半导体薄膜场效应晶体管(TFTs).用XRD、SEM、XPS等检测分析方法对不同条件下制备的Cu2O薄膜的晶体结构、表面形貌、化学成分进行了表征.对O2通量、退火温度及沟道宽度等因素对半导体薄膜及器件特性的影响进行了对比研究.研究发现,O2通量是制备Cu2O半导体薄膜的关键因素,器件IDS电流的绝对值随着栅压的绝对值的增大而增大,具有典型的p沟道增强型场效应晶体管特征.其Ⅳ特性与溅射沉积时间、沟道宽度、退火因素等有关,真空退火处理后有
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