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通过应用Scharfetter-Gumme1解法数值求解Poisson方程,对热平衡p+(a-SiC:H)/n(c-Si)异质结太阳能电池进行计算机数值模拟分析.给出了p+(a-SiC:H)膜厚及其p型掺杂浓度设计,还讨论了p+(a-SiC:H)/n(c-Si)异质结太阳能电池稳定性.
a—SiC／c—Si异质结太阳能电池中a—SiC：H薄膜的设计分析
【摘 要】
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通过应用Scharfetter-Gumme1解法数值求解Poisson方程,对热平衡p+(a-SiC:H)/n(c-Si)异质结太阳能电池进行计算机数值模拟分析.给出了p+(a-SiC:H)膜厚及其p型掺杂浓度设计,还
【机 构】
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中国科学技术大学物理系
【出 处】
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半导体技术
【发表日期】
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2001年12期
【基金项目】
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国家自然科学基金
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