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采用磁控溅射方法在p-Si(111)衬底上淀积5nmPt膜,分别在350℃～600℃退火.原子力显微镜(AFM)观察和X射线光电子谱(XPS)分析表明,随退火温度的增加,平坦的薄膜表面变得粗糙,其相分布由Pt-Pt2Si-PtSi变为Pt+Pt2Si+PtSi-PtSi.
磁控溅射PtSi／p-Si纳米薄膜组织结构的研究
【摘 要】
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采用磁控溅射方法在p-Si(111)衬底上淀积5nmPt膜,分别在350℃～600℃退火.原子力显微镜(AFM)观察和X射线光电子谱(XPS)分析表明,随退火温度的增加,平坦的薄膜表面变得粗糙,其相
【机 构】
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哈尔滨理工大学,哈尔滨工业大学
【出 处】
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稀有金属材料与工程
【发表日期】
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2003年9期
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